黄仁勋现身台积电在好意思国亚利桑那的工场

AI 背后是芯片。

芯片的背后则是工场。

周五，英伟达与台积电在好意思国亚利桑那的工场，初度亮相首片 Blackwell 芯片晶圆。

黄仁勋

这些晶圆最终将用来制作用于东说念主工智能的 Blackwell 芯片。

黄仁旭在现场说：「你们制造出了令东说念主难以置信的东西，但你们终将意志到，你们是更为历史性事件的一部分」。

其实，早在本年 4 月份，黄仁勋就拿出 5000 亿好意思元豪赌好意思邦原土的 AI 芯片制造，所谓「MadeinUSA」。

泰半年以前，终于，最强芯片 Blackwell 初度在「好意思邦原土造」出来了！

将寰球级 AI 芯片制造迁到好意思邦原土

将台积电的顶端制造材干引入好意思国，「芯片之父」称之为「一项神来之笔，更是足以窜改行业情势的里程碑。」

当我创办台积电时，我曾有一个梦念念，那就是在好意思国建造晶圆厂。

而今，梦念念成真。

在凤凰城的厂区内，分娩的齿轮依然提前启动动掸。

而这里的总投资额，也依然攀升至一个惊东说念主的数字——1650 亿好意思元。

在东说念主工智能的寰球里，英伟达是通盘赢家中的杰出人物。

但即就是这位 AI 之王，也绝不婉词地承认：「莫得台积电，这一切齐无法杀青。」

咱们能在一个指甲盖大小的芯片上，集成数十亿个晶体管。咱们发明了 GPU，透澈立异了考虑机图形学和东说念主工智能。

咱们首创了加快考虑的期间，而这一切，齐凭借着他们（台积电）为咱们打造的芯片。

在庆祝行动上，黄仁勋与台积电运营副总裁共同登台，在这片 Blackwell 晶圆上签名，以驰念这一里程碑。

它展示了驱动人人 AI 基础纪律的引擎正启动在好意思邦原土制造。

这片看成半导体基础材料的晶圆，将历程分层、光刻（patterning）、蚀刻和切割等一系列复杂工艺，最终成型为英伟达 Blackwell 架构所提供的超高性能、加快考虑 AI 芯片。

台积电亚利桑那州工场将分娩包括 2 纳米、3 纳米和 4 纳米芯片以及 A16 芯片在内的先进时间，这些关于 AI、电信和高性能考虑等利用齐至关热切。

台积电

关于好意思国来说，这个高大的状貌，其兴味早已超过了科技自身——它更标志着制造业的归来。

咱们正在拼凑业契机带回好意思国，建造能够基业长青的芯片制造业。

这大略是半导体产业在好意思国迎来的最热切的盘曲点。

新一代芯片好意思邦原土下线

Blackwell 是英伟达新一代 AI 超等芯片。

Blackwell 架构第一次是在2024 年 3 月 18 日的 GTC 大会上弘扬由黄仁勋在主旨演讲中初度对外公布的。

英伟达新一代 AI 超等芯片

绵薄先容下 Blackwell 的基础架构。

晶体管数 / 范畴：Blackwell 架构 GPU 领有约2080 亿个晶体管。

工艺 / 芯片制造：Blackwell 芯片给与 NVIDIA 与 TSMC 协调定制的4NP工艺。

芯片互连：为了冲破单片硅片（reticle）面积截止，Blackwell GPU 由两个子芯片构成，通过一种新的高带宽接口互联（NV-HBI）勾通速率可达 10TB/s（每秒 10 太字节）。通过这种式样，两个子芯片不错在逻辑上看作一个和洽的 GPU，从而杀青「全性能荟萃」。

在 GTC 2025 上，黄仁勋提到 Blackwell 现在已处于「全面量产 / 全面干涉」景象。

此次终于首片晶圆由好意思邦原土分娩下线。

接下来，Balckwell 之后的系列，齐有望在好意思国分娩。

Blackwell 后头是 Blackwell Ultra，看成 Blackwell 架构的下一步演进版，用于应酬更大模子推理、更高性能 / 带宽需求的 AI 推理与熟谙场景。

Blackwell 的下一代是由Rubin   GPU   + Vera   CPU构成的「Vera Rubin」超芯片 / 平台。

黄仁勋在 2025 年 GTC 上公布，缱绻2026 年下半年上市，目的是下一阶段的大模子熟谙与推理。

英伟达的芯片阶梯图里把Feynman标为Rubin 的后继架构，期间窗口指向2028 年。

在它之前会先在2027 年推出Rubin Ultra。

黄仁勋先容居品

参考而已：

https://www.reuters.com/technology/nvidia-tsmc-unveil-first-blackwell-chip-wafer-made-us-axios-reports-2025-10-17/

https://blogs.nvidia.com/blog/tsmc-blackwell-manufacturing/

本文来自微信公众号"新智元"九游体育娱乐网，作家：新智元，36 氪经授权发布。